4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3A)
字号:T|T
4953mos管描述:
4953 mos管内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS(ON),做为负载开关被广泛应用于大屏显示,以及其他的消费电子产品中,采用SOP8的封装形式。
4953 MOSFET特点:
●Ids= -3.0A, RDS(ON) = 85mΩ@VGS = -5V
● 高级的Trench加工技术
● 高密度的单元设计
●封装形式:SOP8
4953mos管应用:在笔记本电脑的电源管理,便携设备和电池供电系统。
4953mos管25℃极限参数和热特性电气参数:
同类文章排行
- 一款适配器的AC-DC转换芯片介绍-SD4873
- 芯龙12V/5A DC/DC低成本电源芯片方案-XL150
- PN8147内置MOS管AC-DC电源适配器IC方案-芯
- TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应
- UC3842的占空比调节-骊微电子
- SF6773 650V功率电源手机充电器芯片
- 骊微电子5V转12V升压芯片-XL6019
- NCE现货n沟道mos管NCE6003Y磁场应管SOT23-3
- 4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3
- 士兰微推出AC/DC 5V/1A充电器解决方案SD69