士兰微650V高压超结STS系列，广泛应用于消费类电源领域！

　　士兰微新一代高压650V MOSFET系列，采用Super-Junction（超结）结构，工作电流在5A—20A之间，打破VDMOS器件Rdson与BVDSS之间的矛盾关系，在降低器件的导通电阻的同时，BVDSS可以做到几乎不变，广泛应用于工业电源，LED屏电源，调光电源等硬/软开关拓扑领域。

　　

　　STS65R900D(F)S2 漏源电压650V， 漏极电流5A，导通电阻RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L多种封装。
　　

　　STS65R580D(F)(S)S2漏源电压650V， 漏极电流8A， 导通电阻RDS(on)(典型值)=0.52Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L、T0-263-2L多种封装。
　　

　　STS65R360D(F)S2漏源电压650V， 漏极电流12A，导通电阻RDS(on)(典型值)=0.3Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L多种封装。　
　

　　STS65R280D(F)S2 漏源电压650V， 漏极电流14A，导通电阻RDS(on)(典型值)=0.24Ω@VGS=10V，有T0-252-2L、T0-220F-3L多种封装。　
　

　　STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 漏源电压650V， 漏极电流20A，导通电阻RDS(on)(典型值)=0.155Ω@VGS=10V，有T0-220F-3L、DFN-48x8x0.85-2.0、T0-220-3L、T0-263-2L多种封装。

　　

　　650V超结MOSFET系列具有更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度，拥有多种封装形式，能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求，更多低压、高压及超结MOS器件替换及产品手册、参数等方案资料请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>