TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应用

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2018-11-28

　　TK10A60D场效应晶体管MOS管参数：

　　低漏极 - 源极导通电阻：RDS（ON）=0.62Ω（典型值）

　　高正向传输导纳：| Yfs | = 6.0 S（典型值）

　　低漏电流：IDSS =10μA（VDS = 600 V）

　　增强模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

　　TK10A60D绝对最大额定值:

　　注意：在重负载下连续使用（例如高温/电流/电压的应用和温度的显着变化等）可能导致该产品的可靠性显着降低如果操作条件（即操作温度/电流/电压等）在绝对最大值内收视率.

　　TK10A60D热特性:

　　TK10A60D电气特性（Ta = = 25°C）:

　　TK10A60D源漏评级和特性（Ta = = 25°C）

　　如果需要产品TK10A60D的详细手册或其他资料，请向我们申请。>>