9926mos管SOP-8双N沟道2.5-V（G-S）低压MOSFET

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文章出处：骊微电子责任编辑：admin人气：-发表时间：2018-07-31 09:58

　　9926 mos管产品概要：　　

　　9926mos管是性能极高的沟槽N沟道MOSFET，具有很高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷，9926符合RoHS和绿色产品要求，并获得全面的功能可靠性认证。

　　9926双N沟道MOSFET特征：　　

　　•低导通电阻　　

　　•24mΩ@ V GS = 4.5V　　

　　•29mΩ@ V GS = 2.5V　　

　　•37mΩ@ V GS = 1.8V　　

　　•低门限电压　　

　　•低输入电容　　

　　•快速切换速度　　

　　•低输入/输出泄漏　　

　　•无卤素选项可用　　

　　•TrenchFET®功率MOSFET的　　

　　•无铅设计/符合RoHS标准　　

　　•“绿色”设备　　

　　•符合AEC-Q101高可靠性标准　

　　9926低压mos绝对最大额定值：　

　　湾脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2％，超出“绝对最大额定值”下列出的应力可能会对器件造成永久性损坏，这些仅是压力等级和功能操作不暗示设备在这些或任何其他条件下超出规范操作部分所述的条件，暴露于绝对最大值延长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。