真茂佳助力电动汽车联盟汽车电子元器件工作组筹备会！

　　深圳真茂佳半导体有限公司是一家专注于车规中低压功率器件设计研发、销售和服务为一体的高新技术企业，拥有广泛的汽车客户群体，在车身电子、照明系统、热管理、智能底盘和域控制器等领域已累积出货3亿多颗中低压车规功率器件，真茂佳品牌和产品性能、技术质量都已获得中国新能源汽车客户的考验和广泛认可，已成为国内汽车中低压功率芯片领域领导者，将致力于成为中国本土全系列中低压车规Mosfet国产替代进口方案优选供应商。
 

　　

　　2023年11月28日，深圳真茂佳半导体有限公司在由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局指导，由北京经开区管委会主办，盖世汽车承办，国家新能源汽车技术创新中心提供支持的“芯向亦庄”汽车芯片大赛做为中低压功率半导体行业内的领军企业参与评选并荣获“2023汽车芯片50强”。

　　

　　11月29日下午，电动汽车联盟汽车电子元器件工作组筹备会议在中国汽车工程学会举办。会议由中国汽车工程学会副秘书长、电动汽车联盟秘书长赵立金主持，来自航天领域、汽车领域的80多位专家出席会议。

　　

　　为加快汽车电子元器件及配套产业的技术发展，建立健全产业链配套体系，中国汽车工程学会与中国科学院空间应用工程与技术中心拟共同发起成立“电动汽车产业技术创新战略联盟汽车电子元器件工作组”，深圳真茂佳半导体有限公司作为国内杰出的中低压功率半导体企业代表参加了工作组筹备工作，后续该组织将开展产业研究、标准研制、技术研讨等工作。

　　

　　公司中低压MOS涵盖N型和P型，反压覆盖-12V至200V，导通电阻低至1mΩ以下。针对电源领域尤其是PD电源和快充领域公司主推SpeedFET系列产品，该系列产品击穿电压30V-150V、导通0.65-15mΩ、驱动电压均支持4.5V。该系列产品有比肩进口产品的优值（Qg*Rdson、Qgd*Rdson）和比导通电阻（Rdson*Area）。

　　

　　针对PD电源和快充领域主推650-700V高压MOS，器件使用业内领先的超结技术，同样实现了业内领先的优值（Qg*Rdson）和比导通电阻（Rdson*Area）。为了提升器件可靠性，器件集成了ESD保护功能，有效减少了外部干扰对器件的损害，提升了器件装配和使用过程中的可靠性。同时器件集成可调Rg电阻能够有效控制器件的开关速度，解决了超结器件使用过程中经常遇到的EMI问题。通过优化漂移区N和P柱的掺杂分布实现了高EAS特性，有效提升了器件的抗冲击能力。

　　

　　公司基于汽车功率半导体器件平台技术打造高可靠性产品，目前主要产品有沟槽MOSFET(20-200V)、SGT MOSFET(30-150V)、超级结MOSFET(600-900V)、集成快恢复二极管MOSFET(500-600V)、SIC二极管650V-1200V、SIC MOSFET 650V-1200V。有TO、SOP、DFN、SOT、WLCSP、TOLL、模块等系列封装形式，并持续开发更高功率密度，可靠性，散热性能的封装形式，广泛应用于汽车、储能、PC/服务器、PD等领域，并实现批量供货。更多真茂佳产品手册、参数等相关应用资料请向骊微电子申请。>>