小体积20W PD快充方案

　　苹果20W PD快充方案的推出，势必会带动第三方快充配件的快速发展，骊微电子推出了一套高集成20W PD快充方案，利用PN8162+PN8307H两颗内置mos芯片实现AC-DC电源转换，节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围，在小体积内实现高性能的电源方案。
 

　　
 

　　主控芯片PN8162采用 PDFN 专用功率封装，相比传统 SOP8，封装热阻更低，显著提高了充电器功率密度，内置690V高雪崩能力的功率MOSFET，准谐振工作，通过DMG检测到的消磁信号实现精确谷底开通，以提高系统的转换效率。

　　

　　次级同步整流MOS采用PN8307H，内置11mΩ 60V Trench MOSFET，集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能，可保证电压 de-rating 裕量充足，进而降低整体方案成本，节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围。
 

　　

　　20W PD快充方案亮点　　

　　★ 原边主控 PN8162 和次边同步 PN8307Ｈ均实现功率集成，得益于专利智能 MOS 技术，节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；　　

　　★ PN8162 采用 PDFN 专用功率封装，相比传统 SOP8，封装热阻从 80℃/W 降低至 15℃/W，显著提高充电器功率密度；单边 drain 脚位，高低压引脚爬电距离大于 1.2mm，安全可靠；　　

　　★ PN8162 采用负载自适应谷底开通技术，彻底解决小体积充电器开关干扰源至 LN 线位移电流带来的传导难题，EMC 裕量大于 6dB；　　

　　★ PN8162 工作强制 DCM 模式，从而保证最糟工况下 SR 尖峰电压可控制在 51V 以内，60V 耐压的 PN8307即可保证电压 de-rating 裕量充足，进而降低整体方案成本；　　

　　★ PN8162 内置输入欠压保护，通过 DMG 监控市电，防止市低压工作导致电源异常；　　

　　★ PN8162 9-38V VDD 供电、PN8307 3-24V VCC 供电，在 3-12V 输出电压范围内无需外部 LDO；　　

　　★ PN8162 内置线电压补偿，根据市电自动调整内部峰值电流参考，全电压范围 OCP 精度在 10%以内；　　

　　★ HUSB339B 协议支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。
 

　　
 

　　骊微电子20W PD快充方案通过采用高集成设计的芯片，实现了超精简的外围电路，一方面为快充电源厂商降低了新品开发的门槛、加速了新品上市的周期，另一方也使得产品的系统成本得以进一步压缩，提升利润空间和产品竞争力，更多基于PN8162+PN8307H小体积20W PD快充方案原理图，电源输入输出规格，BOM 表和变压器参数以及安规和 EMI 测试数据等资料，可向骊微电子申请。>>