芯朋微20W~90W快充套片方案,亮相2022亚洲充电展!
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2022亚洲充电展于8月16日至18日在深圳福田会展中心盛大举办,以产品展示行业交流为主,同时探索未来充电储能新方向的展会。芯朋微受邀参展,展位设在 A04~A06,带来了20W~90W快充套片方案以及多种功率高集成适配器方案。
► 高度集成20W PD快充应用方案PN8162+PN8307H
1、方案精简,利于充电器小型化设计:原边主控和次边同步整流均实现功率集成,并可节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围;
2、方案温升低,可满足安规要求:PN8162采用QR控制技术,降低芯片开通损耗;PDFN功率封装,单边drain脚位,高低压引脚爬电距离大于1.2mm,便于PCB布线及敷铜散热;
3、智能控制技术,显著降低方案成本:PN8162工作强制DCM模式,降低同步整流耐压;自适应QR开通技术,简化EMC设计;集成输入市电欠压及输出过压保护,无需外部辅助电路。
芯朋微20W PD快充方案PN8161+PN8307H因集成度高、性能卓越、方案成本优势明显被众多电商品牌采用,已成为现象级爆款产品,高度集成20W PD快充应用方案PN8162+PN8307H,在提升输出功率的同时,将20W充电器体积进一步减小,轻松应对20W PD快充小型化挑战!
► 高度集成30W PD快充应用方案PN8165+PN8307H
1、内置高压启动和电流采样的高精简主控:PN8165集成650V0.55Ω智能MOSFET,无需外部启动电阻和CS电阻,方便布线,并提升市电低压下的转换效率;
2、100V全集成同步整流:PN8307H(A)内置100V/10mΩ智能MOSFET,自适应死区控制提高MOSFET Rdson利用率,显著降低温升,超高性价比;
3、兆赫兹SOT23-3升压供电:AP2080采用兆赫兹开关频率的COT控制技术,将储能电感体积降至0805封装,任何工况下PN8165供电范围控制在11~35V,显著提升15~20V输出电压下的转换效率;
4、EMC性能卓越:采用QR控制方式+自适应抖频+智能功率器件等组合创新技术,改善系统EMC性能,传导辐射裕量轻松大于6dB;
5、保护功能丰富:方案具有市电欠压保护、输出过压保护、原副边防直通保护、过载保护、过温保护等,为充电器安全运行保驾护航;
6、全系列脚位兼容:PN816x/PN8307x全系列芯片脚位相同,SOP8/PDFN两种封装灵活选择,便于电源产品系列化设计及安规认证。
芯朋微的30W PD套片方案:PN8165+PN8307H(A),搭配行业最精简的SOT23-3 Boost芯片AP2080,帮助大家轻松实现输出功率20W向30W的快速升级迭代。并且与20W网红产品PN8161+PN8307全兼容!
► 高频QR 65W PD快充应用方案PN8213+PN8307P+AP2080
1、PN8213:环路稳定更佳、QR-Lock初级控制器
■ PN8213实现真正QR-Lock技术,环路高度稳定,进口替换的适配度更高,最高支持500kHz工作频率,减小变压器及输出电容体积;典型转换效率大于93%,提升充电器功率密度。
■ PN8213与海外友商相比,具备“三高一低”压倒性优势替代,外围少2-4颗(OVP复用)、1/4负载转换效率优于1%以上,启动HV耐压高出100V,VDD耐压高出30V,具有市电欠压保护、输出过压保护、原副边防直通保护、过载保护、过温保护等。
■ PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能,待机功耗小于50mW。
2、PN8307P:全集成同步整流
■ PN8307P内置100V/7mΩ智能MOSFET,自适应死区控制,更低温升,超高性价比。
3、AP2080:兆赫兹升压供电宽输出
■ AP2080采用1.5MHz开关频率的COT控制技术,将储能电感体积降至0805封装,任何工况下可将PN8213 供电范围控制在11-40V,提高15-20V输出电压下的转换效率。
高频QR 65W PD快充应用方案由PN8213、PN8307P、AP2080三颗套片组合,搭配GaN或者SuperJunction器件,具有高环路稳定度、高功率密度、50mW低待机功耗、100V全集成同步整流等多重亮点。
► 高频QR 90W PD快充应用方案PN8280+PN8213+PN8601
目前芯朋微电子已经拥有20W PD快充方案PN8161/2+PN8307H、30W快充方案PN8165+PN8307H,45-65W快充方案PN821/2/3+PN8601/8309,以及 90W PD快充应用方案PN8280+PN8213+PN8601,为客户提供了90W以内的完整电源方案,更多相关产品手册、线路图、BOM、变压器设计资料、Demo测试数据等资料请向芯朋微代理骊微电子申请。>>
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