三星正式宣布业界第一的10nm芯片量产
字号:T|T
三星今天在首尔宣布,正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作,进度业界第一,也就是领先台积电和Intel。
去年,三星率先拿出了首个FinFET工艺的移动AP(应用处理器),也就是我们熟知,立下赫赫战功的Exynos 7420。
据悉,三星目前的10nm工艺是10LPE(low-power early),也就是早期低功耗版,这一点和14nm时代的进程一致,后续还会有10nm LPP(low power plus, advanced power processing),预计明年下半年量产,可用于更高性能的芯片。
按照三星给出的参考值,相较14nm,10nm晶体管面积效率提升30%,性能提升27%,功耗降低40%。韩国巨头还表示,为了克服比例限制,边缘技术依然沿用了之前的三重切削,以保证节点双向链路的灵活性。
三星称,明年初会正式发布首款消费级的10nm FinFET芯片,毫无疑问,Exynos 8895和骁龙830系列芯片可以放心用了,今天传出的高通10nm转单台积电应该是“不攻自破”了。
同类文章排行
- 深圳半导体产业链渐趋完整的版图
- 三星/SK海力士将大规模投资研发DRAM 市场或
- 台积电坐稳晶圆代工龙头 高端封装明年丰收
- 2016半导体链全线看旺 晶圆订单爆满
- 如何解决USB电压下降问题?
- 全球代工产业格局生变 富士康转战印度
- 半导体:联发科紫光估计悬了 台湾排斥陆资
- 中国大陆12寸晶圆厂分布
- 智能家居在线批量烧录的应用
- 全球市场LED灯泡8月售价:美国市场价格最