p-mos管怎么选型，p型mos管选型表！

　　p-mos管怎么选型，p型mos管选型主要是从封装类型、耐压、导通电阻等多个参数及不同的应用需求去选择，工程师在选择p-mos管时，一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管，选择一款合适的p型mos管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

　　

　　目前骊微电子p-mos管可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 沟道 MOSFET解决方案，封装主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列，能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。

　　

　　p型mos管选型表

型号	Vdss(V)	Id(A)	封装	RDSON Max(mΩ)
SVT03110PL3	-30	-46	PDFN33	11
SVT03380PSA	-30	-6.5	SOP-8	38
SVT10500PD	-100	-30	TO-252	50
SVGP15751PL3	-150	-3	PDFN33	750
SVGP15161PL3A	-150	-9	DFN33	160

　　

　　SVT03110PL3 30V增强型p-mos管采用PDFN-8-3*3封装，提供了超低的导通电阻和栅极电容，漏源电压-30V，漏极电流-46A，RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V，典型应用于移动电源、吸尘器、笔记本电脑、充电器等领域。

　　

　　SVT03380PSA p-mos管采用SOP-8封装，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，是-6.5A、-30V P沟道增强型场效应管，，RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V，典型应用于POS机、打印机、TV、电动工具、储能等领域。

　　

　　SVT10500PD 100v耐压p-mos管采用TO-252封装，漏源电压：-100V，漏极电流：-30A，RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V，典型应用于报警器、储能、电动工具等。

　　

　　SVGP15161PL3A p mos管场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装，漏源电压：-150V，漏极电流：-9A，RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V，典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。

　　

　　P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，具有输入阻抗高，驱动功率小，电路简单等特点，被广泛应用于汽车电子、电源管理、通信设备、工业设备、照明、便携式产品、消费类电子与计算机3C产品等领域，更多p-mos管和N 沟道MOSFE产品选型及MOSFET国产替代手册、参数等资料请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>