4803mos管-30V / -5A双P沟道高级功率MOSFET

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文章出处：骊微电子责任编辑：admin人气：-发表时间：2018-07-25 10:07

　　4803mos管描述：　　

　　PTS4803采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。该设备适合用作负载开关或PWM应用，针对电源管理进行了优化便携式产品的应用，例如H桥，变频器车载充电器及其他。

　　4803MOSFET管特征：　　

　　•低R DS（on）@V GS = -5V　　

　　•5V逻辑电平控制　　

　　•双P沟道SOP8封装

　　4803mos管绝对最大额定值：　　

　　超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大额定值仅为压力等级。功能操作如上不暗示推荐的操作条件。长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。

　　4803mos管典型特征：