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- [ 11-08 10:28 ]士兰微650V高压超结STS系列，广泛应用于消费类电源领域！
- 士兰微新一代高压650V MOSFET系列，采用Super-Junction（超结）结构，工作电流在5A20A之间，打破VDMOS器件Rdson与BVDSS之间的矛盾关系，在降低器件的导通电阻的同时，BVDSS可以做到几乎不变，广泛应用于工业电源，L...
- [ 08-18 02:46 ]铨力-Allpower 30V系列：电机驱动、bms mos管！
- 铨力-Allpower 30V Trench MOSFET主要应用于BLDC、电机驱动、加湿器电源、储能、小家电、BMS等领域，针对电动工具市场推出了一系列先进封装、短路能力强、低内阻产品，主要应用于电机驱动、锂保等结构领域，下面推...
- [ 07-21 02:09 ]SVGP157R2NS 100A 150V 电动车控制器、大功率电源专用MOS
- 在车用电机控制器领域，应用于A00级车型的功率器件根据电池电压不同，一般分为100V-180V电压和200V-450V的电压两种，100V-180V电压系统中，因工作电压相对低，工作电流较大（通常会达到350Arms以上），一般都采用MO...
- [ 06-30 10:52 ]60-80V mos管系列，BMS、逆变器、储能光伏专用mos管！
- 60-80V低压mos管系列采用士兰的LVMOS工艺技术制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域，BMS、逆变器、储能光伏专用mos管！ 60V 低压mos...
- [ 05-23 11:10 ]ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D自举驱动芯片
- 近两年来，由于国外芯片的高价格和缺货等因素，很多厂商通过国产替代来解决项目缺料的问题，芯朋微旗下子公司无锡安趋电子专注功率驱动芯片及智能模块，推出11V-600V高、中、低压功率器件驱动芯片，广泛应用于家用...
- [ 04-18 10:44 ]PN7103/IR2103芯片替代料ID5S606B国产栅极驱动
- PN7103/IR2103芯片替代料ID5S606B栅极驱动芯片是控制器和功率器件之间的桥梁，集成各种复杂的功能，以便对功率器件提供更好的保护、监测以及开关行为的本地控制，典型应用于高压风机和泵和步进马达领域，以进一步提...
- [ 04-11 10:44 ]电机驱动芯片有哪些，电机驱动芯片选型！
- 电机驱动芯片 是集成有CMOS控制电路和DMOS功率器件的芯片，包含了速度控制、力矩控制、位置控制及过载保护等功能的集成电路，在电子行业，电机驱动芯片使用非常广泛，凡是要用到马达驱动的产品，几乎都离不开电机驱...
- [ 02-17 09:51 ]电机驱动芯片原理及功能应用
- 电机参数不同、运行速率不同将会直接影响到电机驱动芯片的选择，一款合适的电机驱动芯片可以直接影响电机的运行效率、噪音、震动、堵转等问题，下面让我们一起了解下电机驱动芯片工作原理及功能应用，以便更好的选...
- [ 12-30 03:02 ]N沟道mos管工作原理及n沟道mos管用途！
- 项目中最常用的为增强型mos管，可分为N沟道和P沟道两种，n沟道MOS管由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道，由于N沟道mos管其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分...
- [ 12-06 09:34 ]IR2104半桥驱动替代芯片ID7U603，ir2104芯片驱动原理！
- 电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路，H 桥是一个典型的直流电机控制电路，由于它的电路外形酷似字母 H，故得名与H桥，4个开关组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。要使电机运转，必须使对角线上的一对...
- [ 10-25 02:17 ]常用低压mos管型号及选型！
- 士兰微常用低压mos管主要有Trench工艺LVMOS和SGT LVMOS两种工艺，Trench LVMOS，产品包括耐压30V-250V，额定电流10A-300A；主要封装有TO220、TO252、PDFN33、PDFN56、等多种封装。 常用低压mos管型号及选型（ Slian...
- [ 10-20 10:20 ]5W-65W充电器电源芯片方案及选型！
- 充电器是将电压和频率固定不变的交流电变换为直流电的一种静止变流装置。可为充电电池充电，为蓄电装置提供能量，常用的有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型，充电器中的核心元器件为充电器电源芯...
- [ 09-16 11:00 ]SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65常用高压mos管参数！
- MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，或称金属绝缘体半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、...
- [ 07-29 01:47 ]OB2281芯片替代料CR6889B，货源更稳定！
- 2021年以来电源芯片均出现了不同程度的涨价缺货，从一开始的缺货涨价交期延长，到后面的交期不定，有价未必有货，一货难求，缺货潮催化了各芯片间的相互代换，启辰微CR6889B不仅能代换OB2281、OB2273、还可以兼容SD...
- [ 06-24 09:55 ]viper12a替代芯片AP8012H pin to pin兼容不改PCB及外围参数
- 芯朋微基于自研高低压集成平台开发的 700V 单片集成电源芯片，成功进入家电领域，家电类芯片以进口替代为目标，打破了国外芯片企业在该领域的垄断，多款产品在性能上已经可比肩同类芯片水准，并且以更高的性价比逐...
- [ 06-17 11:11 ]IR4427替换芯片ID1127双低侧、大电流驱动，可完美代换！
- 近两年来，由于缺货和涨价等因素，很多厂商通过国产替代来解决项目缺料的问题，国产电机驱动芯片在电压耐压、电流驱动能力及抗静电、抗浪涌等可靠性方面都有不错的表现，ID1127双低侧、大电流驱动可兼容替代IR4427...
- [ 05-31 10:52 ]IR2304替代料ID5S609F1 600V半桥驱动芯片
- ID5S609F1 600V半桥驱动芯片浮动通道可用于驱动最高600V的N沟道MOSFET或IGBT，通断时间180ns/250ns。兼容ir2304驱动芯片，广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器、全桥功率逆变器、...
- [ 05-20 09:51 ]30v mos管PKC26BB替代料SVG032R4NL5
- 目前国内主要以低端MOSFET产品为主，在中高端MOSFET器件中，主要依赖进口，国产替代空间广阔，士兰微 MOSFET可分为平面型、沟槽型、屏蔽栅型、超级结型，可实现进口MOS替代，广泛应用于移动电源、快充、无人 机、新...
- [ 05-10 01:32 ]ir2110驱动替代料ID7S625高压半桥驱动芯片
- IR2110驱动是大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路，已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用，ir2110驱动替代料ID7S625高压半桥驱动芯片不仅简化了系统电路，更提高了电路效率，实现了电路结构...
- [ 05-06 10:09 ]ncp1342替代料PN8213氮化镓pd充电器芯片
- 近年来，我国半导体在氮化镓、氮化硅领域发展迅速，芯片缺货问题，更是加快了国产GaN控制芯片发展的步伐，不少之前使用国外控制芯片方案商和终端厂商开始切换到国内企业的产品，芯朋微推出ncp1342替代料PN8213氮化...
